内置高耐用性nvSRAM，这是提高智能电表精度的新方法

世界上到处都是执行重复性任务的机器。

例如，智能电表将读取并记录功耗数据，然后将读取的数据上传到区域聚合设备以每隔几分钟重置并重复一次。

上一个动作。

其他设备，例如便携式医疗设备，工厂生产线设备和无刷电机，也必须执行一系列测量操作，响应测量数据，然后重新开始相同的过程。

各种工业产品，例如在线参数记录器，错误记录器，引擎监视器，电池充电器以及供暖/通风/空调设备控制器（HVAC），也将使用重复的事件管理组件。

总体性能大大优于EEPROM-nvSRAM适用于重复事件应用程序-在许多应用程序中，持久性或非易失性存储器是处理重复事件的必要组件。

在复杂的操作过程中，智能电表不得因电源中断而发生故障。

一旦读数丢失，必须立即重新捕获它们。

他们还可能遇到样品丢失，材料损坏以及操作员和用户不满意的问题。

重复事件存储容量通常仅需要16k？ 2MB，具有低成本，低开关噪声的串行接口，并且必须以合理的速度运行，例如串行外围设备接口（SPI），用于随机访问和顺序读/写操作的内部集成电路（I2C）。

过去，最合适的组件是串行电子可擦除只读存储器（EEPROM）。

这种廉价的存储器可以在成本，密度和读/写速度方面满足此类应用程序的需求，但是，存在两个缺点。

其中之一是有限的耐久性。

通常，上限仅为100,000个存储。

第二个是芯片/块的擦除时间可能超过1秒。

设计人员必须花费大量时间来消除这些问题。

为了享受串行EEPROM带来的成本优势。

专为重复事件系统量身定制的非易失性静态随机存取存储器（nvSRAM）。

操作模式类似于SRAM。

它可以执行高速读�。咚傩慈耄婊梦屎土环ⅲ˙urst）模式，但是在擦除块和IC数据时，没有串行EEPROM或串行闪存设备存在工作时间长的问题，并且用户不会感到非易失性存储器在幕后工作。

一旦IC检测到电源异常，它将自动将所有数据移至非易失性存储设备，并且在电源中断时，存储的数据将完全不会被损坏。

断电后，系统将自动将数据移回SRAM，并且系统将返回断电之前的状态并继续运行。

这种类型的非易失性存储器的耐用性超过了存储的一百万倍。

因为这些存储事件仅在断电时发生，所以对于嵌入式和工业应用，这种耐用性实际上是无限的。

SRAM在正常模式下连续运行，并且具有无限数量的读取和写入功能。

此外，在这些低密度存储器中，增加的单元电路将提供nvSRAM处理结果，并且成本非常接近串行EEPROM或串行闪存设备。

考虑到它对于重复事件应用程序的好处，可以说是一种具有成本效益的选择。

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